因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

光子能量分布測定、機械應(yīng)力分布分析、光致位移響應(yīng)測試、光子動量傳遞效率評估、光彈性系數(shù)測定、微納結(jié)構(gòu)形變監(jiān)測、光壓作用力量化、雙折射效應(yīng)驗證、光熱膨脹系數(shù)測量、光子晶體諧振頻率測試、光纖布拉格波長偏移分析、表面等離子體共振強度校準、量子點發(fā)光效率驗證、光鑷捕獲力標定、波導傳輸損耗測定、薄膜干涉相位差測量、微腔品質(zhì)因數(shù)計算、非線性光學效應(yīng)表征、偏振態(tài)穩(wěn)定性測試、光機械耦合系數(shù)驗證、納米顆粒散射截面測定、超表面相位調(diào)制精度分析、光子集成芯片應(yīng)力映射、激光誘導振動頻譜采集、光學薄膜附著力測試、微鏡陣列偏轉(zhuǎn)角度校準、MEMS器件動態(tài)響應(yīng)監(jiān)測、全息光柵衍射效率評估、光子探測器靈敏度標定

檢測范圍

光纖傳感器芯層材料、半導體激光器諧振腔體、量子點顯示面板基板、微機電系統(tǒng)(MEMS)振鏡組件、光子晶體光纖預(yù)制棒、光學鍍膜真空腔體部件、納米壓印模板母版材料、超表面金屬ens結(jié)構(gòu)陣列、紅外焦平面探測器芯片、柔性O(shè)LED顯示基材薄膜、高功率激光器冷卻模塊殼體空間光調(diào)制器液晶層介質(zhì)波導耦合器對準機構(gòu)微流控芯片光學檢測窗口太赫茲超材料單元結(jié)構(gòu)生物光子傳感器探針頭航天級光學鏡頭支撐框架紫外LED封裝膠體材料X射線聚焦鏡多層膜堆疊結(jié)構(gòu)原子鐘微波腔體鍍層等離子體共振生物芯片金膜層光纖陀螺環(huán)圈繞制基體光子集成電路鍵合界面微型光譜儀衍射光柵基底

檢測方法

1.激光干涉法：利用邁克爾遜干涉儀測量樣品在光壓作用下的納米級位移變化2.原子力顯微術(shù)(AFM)：通過探針懸臂偏轉(zhuǎn)量反推微觀表面所受光機械力3.布里淵散射光譜：分析入射光頻率偏移量計算材料內(nèi)部應(yīng)力分布4.數(shù)字全息顯微(DHM)：實時記錄物體三維形變場并重建力學參數(shù)5.壓電響應(yīng)力顯微術(shù)(PFM)：結(jié)合交流電場激勵測量光致應(yīng)變響應(yīng)6.多普勒振動測量：采用激光多普勒測振儀捕捉高頻微振動頻譜7.納米壓痕測試：通過金剛石壓頭加載/卸載曲線計算彈性模量8.白光干涉輪廓術(shù)：獲取表面拓撲結(jié)構(gòu)變化評估殘余應(yīng)力9.拉曼光譜應(yīng)力分析：依據(jù)特征峰位移量推算晶格應(yīng)變分布10.相位敏感OCT：基于光學相干斷層掃描技術(shù)實現(xiàn)亞表面力學成像

檢測標準

ISO10109-5:2015光學和光子學-環(huán)境要求-第5部分:地面用光學儀器試驗條件GB/T15972.40-2021光纖試驗方法規(guī)范-第40部分:傳輸特性和光學特性的測量方法和試驗程序ASTME2381-05(2020)用納米壓痕法測定材料的壓痕斷裂韌性的標準試驗方法IEC61757-1-1:2020光纖傳感器-第1-1部分:應(yīng)變測量-基于光纖布拉格光柵的傳感器JISC8936:2019太陽能電池用硅晶片殘余應(yīng)力的測試方法DINENISO13696:2006光學和光子學-激光輻射散射特性的測試方法GB/T34879-2017微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)-薄膜材料殘余應(yīng)力測試方法ISO12858-1:1999光學和光學儀器-大地測量儀器-第1部分:水準儀基本性能及測試方法ASTMF218-2020用激光干涉儀測量硅片翹曲度的標準試驗方法BSENISO11146-2:2021激光和激光相關(guān)設(shè)備-激光束寬度、發(fā)散角和光束傳播比的試驗方法

檢測儀器

1.數(shù)字全息顯微鏡：配備532nm激光源與高速CMOS相機，實現(xiàn)全場形變動態(tài)監(jiān)測2.原子力顯微鏡系統(tǒng)：集成光電探測模塊與納米定位平臺，分辨率達0.1nN量級3.多通道光纖布拉格解調(diào)儀：支持128通道同步采集，波長分辨率1pm4.激光多普勒測振儀：頻率范圍DC-24MHz，位移分辨率0.01pm/√Hz5.顯微拉曼光譜儀：配置785nm/532nm雙激光源與低溫樣品臺6.X射線衍射應(yīng)力分析儀：采用Cr-Kα輻射源，可測殘余應(yīng)力深度剖面7.納米壓痕測試系統(tǒng)：最大載荷500mN，位移分辨率0.01nm8.白光干涉表面輪廓儀：垂直分辨率0.1nm，掃描范圍100100mm9.低溫強磁場綜合測試平臺：集成光學窗口與4K超低溫環(huán)境倉10.MEMS動態(tài)特性分析儀：包含高帶寬電容位移傳感器與靜電驅(qū)動模塊

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件